报告题目：   第三代半导体氮化镓功率器件技术与应用                                

报告摘要：

作为第三代半导体材料的典型代表，氮化镓（GaN）半导体具有带隙大、载流子迁移率高、耐高温/高压、抗辐射等方面的优势，在功率/射频器件、光电子器件等领域得到广泛的应用。特别是在功率器件领域，其异质结构具有吸引人的高电子迁移率二维电子气（2DEG），由此带来了革命性的应用前景。本报告将围绕氮化镓材料特点、器件加工与测试难题、典型应用与行业背景等内容展开。

个人简历：

黄火林， 现任大连理工大学光电工程与仪器科学学院教授、博导，入选大连市高层次人才计划。主要从事氮化镓材料与器件研究方向，在氮化镓技术方向，已在IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Power Electronics等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇，已经申请或授权国际、国内发明专利近三十项（第一发明人、近五年）；近五年主持国家级、省部级纵向和横向各级项目或课题15项；担任国家基金委项目、教育部博士后基金、博士学位中心以及省级人才项目（会评）评审专家。