碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心标杆材料，是新能源汽车、新型电力系统、可再生能源、人工智能、数据中心等高端战略领域的核心支撑材料。在全球能源变革加速推进、新能源产业规模化扩容、AI算力基础设施持续建设的大背景下，碳化硅市场化应用需求迎来爆发式增长，产业战略价值愈发凸显。

当前，碳化硅产业正告别“野蛮生长”，进入以技术壁垒与生态整合为核心的高质量发展阶段，市场空间有望持续扩大。然而，对照国际顶尖水准，我国在大尺寸长晶稳定性、低缺陷单晶量产、超薄晶圆精密加工、高端耗材与核心设备国产化、车规级良率管控等环节依旧存在技术壁垒，产学研用深度协同攻关迫在眉睫。

为集中展示前沿工艺、对接技术成果、搭建供需交流平台，中国粉体网定于2027年4月15日在江苏 · 苏州举办“第四届第三代半导体SiC晶体生长及晶圆加工技术研讨会”。会议汇聚高校科研人员、行业龙头技术专家、设备耗材厂商及产业链上下游从业者，围绕SiC单晶生长、高纯原材料、成套长晶装备、晶圆精密加工、缺陷检测、外延工艺、车规可靠性、设备国产化等核心议题开展深度研讨与合作对接。