随着 AI 算力集群高速建设，800G/1.6T/3.2T 高速光模块、CPO 光电共封装技术快速迭代，光电子材料作为光通信产业的底层基石，正迎来前所未有的发展机遇与技术挑战。

其中，磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体核心基底材料，是 DFB、EML 激光器、APD 探测器芯片不可替代的关键材料，支撑 1310nm/1550nm 通信波段光电转换，在算力光互联中占据核心地位。

与此同时，薄膜铌酸锂（TFLN）以超宽带宽、低插损优势成为下一代高速调制器核心材料，砷化镓（GaAs）则是 850nm VCSEL 短距多模光模块及高速驱动芯片的主流基底

三大材料共同构成 AI 算力时代光互联的核心材料体系。当前国内光电子材料产业面临大尺寸衬底制备、单晶长晶、外延工艺、量产良率、设备国产化、异质集成、成本控制等诸多现实挑战，上下游产业链亟需深度对接交流。

为打通高纯原料 — 单晶衬底 — 外延工艺 — 光芯片 — 光模块 —AI 算力应用全产业链，以磷化铟为核心，联动多种前端光电子材料的技术突破与协同应用，聚焦材料制备关键技术、量产工艺瓶颈、国产化替代路径与异质集成方案，促进行业产学研投用深度融合，中粉半导体将于2026年12月举办 “2026 AI算力时代光电子材料应用交流会暨磷化铟材料制备技术与产业发展论坛”  大会将以“材料创新驱动产业升级”为主线，深度聚焦磷化铟晶体生长、衬底制备、外延技术、光芯片设计、器件封装、市场应用及产业投资等全链条议题。

会议将邀请科研院所、重点高校、材料企业、外延厂商、设备制造商、光芯片与光模块企业及终端应用单位，共同探讨技术前沿、产业趋势与合作机遇，助力构建更加完善、高效、协同的磷化铟及光电子材料产业生态。