磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体核心基底材料，是 DFB、EML 激光器、APD 探测器芯片不可替代的关键材料，支撑 1310nm/1550nm 通信波段光电转换，在算力光互联中占据核心地位。

近年来，AI算力基础设施建设持续提速，高性能光电子器件需求呈爆发式增长，800G/1.6T/3.2T 高速光模块、CPO光电共封装等技术快速迭代，推动磷化铟等光电子材料产业进入新一轮发展周期。据行业机构预测，2026年全球磷化铟衬底需求将达260万至300万片，供需缺口突破70%，产业正面临前所未有的发展窗口。

但是，磷化铟全产业链仍面临诸多关键挑战：高品质单晶生长、大尺寸衬底制备、外延材料可控性、核心装备国产化、晶圆制造良率提升及先进封装技术等环节均有待突破。推动材料性能提升、制造工艺优化及国产化替代，已成为行业协同攻关的核心方向。

同时，薄膜铌酸锂、砷化镓等材料作为光通信产业的底层基石，同样面临绝佳的发展机遇与技术挑战。多种光电材料将协同并进，共同构成 AI 算力时代光互联的材料体系。

在此背景下，中粉半导体将于2026年11月27日举办 “2026磷化铟材料制备技术与产业发展论坛暨AI算力时代光电材料应用交流会”  大会将以“材料创新驱动产业升级”为主题，深度聚焦磷化铟晶体生长、衬底制备、外延技术、光芯片设计、器件封装、市场应用及产业投资等议题，同步探讨薄膜铌酸锂等材料技术进展及市场前景。

会议将邀请科研院所、重点高校、材料企业、外延厂商、设备制造商、光芯片与光模块企业及终端应用单位，共同探讨技术前沿、产业趋势与合作机遇，助力构建更加完善、高效、协同的材料产业生态。欢迎相关单位踊跃报名，出席交流！